舉辦能源與信息先進(jìn)材料研討會(huì )

　　在日前先進(jìn)光電子研究院主辦的2013年能源與信息先進(jìn)材料研討會(huì )中，來(lái)自哈佛大學(xué)Thomas J. Kempa博士等來(lái)自國內外14所大學(xué)的40多名專(zhuān)家，出席了會(huì )議。

　　homas J. Kempa在我學(xué)城校區理5棟作了題為《Growth and Patterning of Complex Nanostructures》(復雜納米結構的生長(cháng)和圖譜形成)的學(xué)術(shù)報告。物理與電信工程學(xué)院、化學(xué)與環(huán)境學(xué)院和華南先進(jìn)光電子研究院部分師生參加了報告會(huì )。

　　結合自己的研究工作，Thomas J. Kempa介紹了納米結構的合成與量身定制的形貌、晶體結構及組成。他以鍺和硅在硅納米線(xiàn)上氣相的選擇性生長(cháng)為例，闡述了選擇性沉積的鍺是晶體，其面位置可以原位綜合控制，并展示了制備具有各向異性和納米多孔框架結構的納米器件的最新方法，將復雜的納米結構圖案從納米拓展到微米尺度。

　　會(huì )議結束后，與會(huì )師生就先進(jìn)材料制備領(lǐng)域的有關(guān)問(wèn)題和Thomas J. Kempa進(jìn)行交流探討。